C 部分：电学参数

1. 层编辑器

OFET 由一组层堆叠构成，你可以在 层编辑器 中编辑它们的厚度 （主窗口 → 器件结构 选项卡）。该编辑器允许你查看与修改堆叠、添加或删除层， 并为每一层分配一个类型。OghmaNano 支持三种层类型：

• 接触层 — 定义器件端子（例如源极、漏极、栅极）并作为边界条件。 它们没有电学参数，因为其作用是设置电压或电流。
• 有源层 — 求解 drift–diffusion 与泊松方程的区域。 这些层承载电荷并决定器件的电学行为。 只有有源层会出现在 电学参数 编辑器中，你可以在其中设置迁移率、陷阱密度、介电常数以及相关属性。
• 其他层 — 既不是接触层也不是电学有源层的被动层。 它们可表示衬底、封装或光学间隔层，并在电学求解器中被忽略。

简而言之，将某一层设置为有源会告知 OghmaNano 在器件该区域求解 drift–diffusion 与泊松方程。 接触层作为边界条件保持固定，而其他层在结构上存在 但电学上不活跃，并被排除在电学求解器之外。

2. 设置电学参数

当某一层在层编辑器中被标记为有源后，可在 电学参数 编辑器中进一步定义其属性。这是你配置仿真过程中电荷输运、俘获与静电学 建模方式的位置（详见第 3.1.9 节）。 ?? 显示了半导体层的设置，你可以指定迁移率、态密度、陷阱参数与复合模型。 ?? 显示了 PMMA 绝缘体的对应设置，其中只需要介电常数与能带偏移等静电属性。 注意左上角的 Enable Drift Diff. 按钮：启用后，该层会求解 drift–diffusion 方程， 包括载流子运动。对半导体而言应开启，因为需要模拟电荷输运； 而对 PMMA 绝缘体则保持关闭，因为该材料不导电。 虽然可以在所有层中启用 drift–diffusion 并仅为绝缘层指定非常低的迁移率， 但这种方法会增加运行时间并可能降低数值稳定性。因此建议在真正的绝缘体中禁用 drift–diffusion。

3. 将参数与器件行为关联

在 电学参数 编辑器中输入的数值会直接控制 OFET 在仿真中的行为。 例如，半导体迁移率决定转移曲线的斜率，而陷阱密度 会影响亚阈值摆幅与迟滞。绝缘体的介电常数决定栅极 电容，从而控制栅极电压调制沟道的效率。通过对 这些参数进行实验，你可以探索材料性质如何转化为可测量的器件特性。