大面积钙钛矿组件教程第 C 部分:编辑几何结构并放大你自己的器件
在第 A 部分和第 B 部分中,你打开了示例、构建了电路网格、运行了仿真并检查了输出。 在最后这一部分,我们将编辑器件的几何结构,并观察组件级行为如何变化。 核心思想是:该组件是带有光生载流子的 3D 电路模型;它之所以是钙钛矿并没有任何“魔法”, 除了你为有源区域指定的光学性质之外。
步骤 1:打开对象编辑器
在 3D 视图中,如 ?? 所示, 在器件上单击右键,然后点击 Edit object。 这将打开如 ?? 所示的对象编辑器。
步骤 2:光学材料与光子效率
在对象编辑器的 Optical 区域中
(??),
你将看到当前的 Optical material 赋值。在本示例中其被设置为
perovskites/std_perovskite。
这个“标准钙钛矿”材料旨在具有代表性:在实践中,关于 MAPI/MAPbI3 类型材料的光学常数在文献中存在差异 (不同制备工艺、测量方法、拟合方式等)。使用平均/代表性的吸收光谱可以提供 合理的默认行为,而无需绑定到某一个特定数据集。
你可以通过点击光学材料字段旁的 ... 按钮来更改光学材料。 注意:尽管这是一个“钙钛矿组件”示例,但这里的仿真引擎从根本上说是电路模型 + 光生载流子。 如果你更改吸收系数,就可以把它变成另一类器件(例如有机吸收体) 并探索其在放大后的行为。
🧪 任务:更换吸收体材料
- 打开对象编辑器(??)。
- 在 Optical material 字段中点击 ...,从材料数据库中选择一个有机吸收体。
- 重建电路网格(Circuit diagram 选项卡 → 刷新图标)并重新运行仿真。
- 将 JV 曲线与原始钙钛矿材料进行比较。变化最显著的是 \(J_\mathrm{SC}\)、\(V_\mathrm{OC}\),还是曲线形状?
步骤 3:关键几何字段的含义
对象编辑器提供了一组紧凑的参数,用于定义几何结构以及它如何参与电学网格:
- Object type = Active: 这表示该对象电学上是有源的并将参与电路网格。 对于吸收体区域,你希望它被设置为 Active,否则它不会对电学模型做出贡献。
- Offset (x, y, z): 对象在空间中的位置。这是对象在全局坐标系中“起始”的位置。
- xyz size (dx, dy, dz): 对象的物理尺寸。注意 y 尺寸通常远小于 x 与 z,因为这是一个薄膜结构。
- Number of objects: 这是复制功能。你定义一个对象(一个参数/材料集合), 然后 OghmaNano 在空间中偏移并生成它的碳拷贝。 这正是多指栅组件所需要的:所有指栅共享相同参数,但在器件中重复出现。 其重要含义是:如果你编辑基对象,你将编辑所有复制出来的指栅。
在本示例中,吸收体区域被复制,使组件具有五个指栅。 如果你将对象数量从 5 → 4,3D 视图应更新为少一个重复区域 (在需要时重建网格/刷新视图后)。
步骤 4:将组件从五指栅减少到三指栅
现在我们将进行一个受控的几何结构修改:把指栅数量从五减少到三。这是一个很好的“压力测试”, 因为它迫使你同时编辑几何结构与接触电极,然后验证电路网格仍然连通。
目标结果是得到一个看起来类似于 ?? 的网格。
步骤 5:调试网格连通性(可能出什么问题)
一旦你开始编辑几何结构,就很容易产生细微的连通性问题: 间隙、缺失的重叠,或某个区域实际上没有接入电路。 这种问题的一个示例如 ?? 所示, 在那里可以看到明显的间隙,因此从器件的一个区域到另一个区域没有连线路径。
关键点在于:如果你创建了一个断开的电路,求解器可能仍会尝试迭代,你也可能看到奇怪的收敛行为, 但结果将没有物理意义。最快的调试方法就是: 重建网格并进行目视检查。如果网格连通且接触位置符合你的预期,仿真通常就是正常的。
💡 调试规则:如果电路网格正确,求解通常就没问题。如果电路网格错误,就不值得解读结果。 在几何结构编辑后一定要仔细检查网格。
下一步做什么
你现在已经掌握了核心工作流: 从小器件参数集(材料 + 电阻)出发,构建组件几何结构,生成电路网格, 运行,并检查 JV/接触电流以及网格连通性。
👉 下一步:尝试放大你自己的器件
从你自己的小面积器件中获取参数(例如电极/接触的片电阻、二极管参数以及吸收体的光学常数), 将它们放入模型并运行相同的组件几何结构。然后思考:在放大时什么因素成为限制? 在很多情况下,限制因素并不是本征的“电池效率”,而是组件尺度效应,例如电极的横向电导率、 接触电阻或与几何结构相关的电流拥挤。
做得好!你已完成钙钛矿组件教程——包括编辑几何结构、重建电路网格以及验证连通性 🎉