钙钛矿太阳能电池的 CELIV 模拟：第 B 部分

步骤 1：编辑斜坡速率

OghmaNano 编辑器功能区，其中时间域编辑器被高亮显示。 — **编辑器** 功能区显示 **时间域编辑器**。点击此处打开时间域编辑器。

时间域实验窗口，显示钙钛矿迟滞 JV 曲线配置。 — 打开时间域编辑器时显示的默认 **钙钛矿** 迟滞 JV 设置。要查看 CELIV，请在左侧列表中点击 **CELIV** 切换项。

时间域实验窗口，显示 CELIV 实验：在 10 到 17 μs 之间施加从 0 V 到 –5 V 的电压斜坡。 — **CELIV 实验** 设置。这里在约 10 µs 到 17 µs 之间施加电压斜坡，从 0 V 扫描到约 –5 V。

CELIV 实验依赖于 时间域编辑器。时间域模拟使用该工具进行配置，可在 编辑器 窗口中通过点击 时间域编辑器 按钮访问（??）。第一个选项卡展示默认的时间域 J–V 扫描，用于模拟钙钛矿器件的迟滞（??）。在该配置中，电压从 0 V 开始，向下扫描到负偏压，然后向上扫描到正偏压——这是时间域 J–V 迟滞模拟的标准设置。然而，对于 CELIV，我们关注的不是迟滞扫描，而是 提取瞬态。通过点击 CELIV 选项卡，你可以切换到 CELIV 实验设置（??）。在这里，模拟配置为初始预偏置 +0.6 V，随后线性扫描下降到 –5 V，然后骤然返回到起始电压。该实验也定义在暗条件下（无照明）。注意，时间域编辑器中的选项卡名称完全可编辑，因此你可以按需重命名。电压程序的参数可以直接使用窗口底部的表格进行修改。

OghmaNano 仿真类型功能区，显示钙钛矿和 CELIV 图标，它们对应时间域编辑器模式。 — **仿真类型** 功能区。此处显示 **钙钛矿** 与 **CELIV** 图标，它们对应于时间域编辑器模式。选择 **CELIV** 将运行 CELIV 瞬态，而选择 **钙钛矿** 将运行用于迟滞模拟的时间域 J–V 扫描。

在 OghmaNano 主窗口中，导航到 仿真类型 功能区（??）。你将看到与时间域编辑器相关的两个图标：钙钛矿 扫描和 CELIV 扫描。它们与之前在时间域编辑器中定义的波形直接关联。如果选择了 CELIV 按钮，求解器将运行 CELIV 瞬态；如果启用的是 钙钛矿 按钮，求解器将执行时间域 J–V 扫描，如前所示。需要注意的是，这些电压扫描始终施加到在 接触编辑器 中定义的 有源接触 上。同样的原则适用于任何器件类型（例如 OFET、 OLED 或二极管）。作为练习，返回到时间域编辑器的 CELIV 选项卡，将终止电压从 –5 V 改为 –6 V。然后重新运行模拟，并检查提取瞬态如何被修改。下面的进一步引导任务将帮助你加深对 CELIV 分析的理解。

📝 自己试试：

打开 时间域编辑器 并切换到 CELIV 选项卡。
将 终止电压 从 –5 V 改为 –10 V。
重新运行模拟，并将新的 CELIV 瞬态与原始结果比较。提取峰在时间与幅度上如何变化？
调整 斜坡长度 以使电压扫描更慢或更快。观察这如何影响峰位置与宽度。
在 电学参数 编辑器中，将载流子迁移率降低一个数量级。再次运行 CELIV ——较低迁移率如何改变峰时间？
现在提高迁移率数值（例如加倍），并记录其影响。提取峰是否如预期那样更早出现？
在主窗口的光学功能区中，提高光强数值以模拟更强/更弱的照明。观察更强的产生如何提高瞬态峰高度。

✅ 预期结果

终止电压：更负的终止电压会增强提取电场，从而导致略高且更尖锐的峰。
斜坡长度：更慢的扫描（更长的斜坡）会将峰移到更晚的时间并使其变宽；更快的扫描会使峰更早且更窄。
迁移率：较低迁移率会推迟峰（更大的 t_max），而较高迁移率会使峰更早出现。这直接来自 CELIV 方程。
光强：提高照明会增加峰幅度，因为会产生更多载流子。降低照明会抑制峰，并且在很低光强下提取信号可能难以与电容基线区分。

这些趋势与 CELIV 理论一致，并提供了一种验证你的模拟设置以及物理直觉的方法。